❞ كتاب Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 3 Series and Parallel Connections of MOS and IGBT ❝  ⏤ روبرت بيريت

❞ كتاب Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 3 Series and Parallel Connections of MOS and IGBT ❝ ⏤ روبرت بيريت


This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
يتعلق هذا الكتاب بالتطورات الأخيرة في العديد من مختبرات البحث والتطوير في مجال الهندسة الكهربائية ، مع التركيز على مفاتيح إلكترونيات الطاقة واستخدامها. تتناول الأقسام الأولى تقنيات إلكترونيات الطاقة الرئيسية ، MOSFETs و IGBT ، بما في ذلك الروابط المتسلسلة والمتوازية. يفحص القسم التالي كربيد السيليكون وإمكاناته لتطبيقات إلكترونيات الطاقة والقيود الحالية. بعد ذلك ، يعرض قسم مخصص المكثفات ، والمكونات الرئيسية السلبية في إلكترونيات الطاقة ، متبوعة بطريقة النمذجة التي تسمح بحساب المحاثات الضالة ، الضرورية للمحاكاة الدقيقة لأشكال موجة التبديل. يتبع السلوك الحراري المرتبط بمفاتيح الطاقة ، ويقترح الجزء الأخير بعض التوقعات المثيرة للاهتمام المرتبطة بتكامل Power Electronics.

A power semiconductor device is a semiconductor device used as a switch or rectifier in power electronics (for example in a switch-mode power supply). Such a device is also called a power device or, when used in an integrated circuit, a power IC.
جهاز أشباه موصلات الطاقة هو جهاز أشباه موصلات يستخدم كمفتاح أو مقوم في إلكترونيات الطاقة (على سبيل المثال في مصدر طاقة وضع التبديل). يسمى هذا الجهاز أيضًا جهاز الطاقة أو ، عند استخدامه في دائرة متكاملة ، طاقة IC.

A power semiconductor device is usually used in "commutation mode" (i.e., it is either on or off), and therefore has a design optimized for such usage; it should usually not be used in linear operation. Linear power circuits are widespread as voltage regulators, audio amplifiers, and radio frequency amplifiers.
عادةً ما يتم استخدام جهاز أشباه موصلات الطاقة في "وضع التبديل" (أي أنه إما قيد التشغيل أو متوقف عن التشغيل) ، وبالتالي يكون له تصميم مُحسَّن لهذا الاستخدام ؛ لا ينبغي استخدامه عادة في العملية الخطية. تنتشر دوائر القدرة الخطية على نطاق واسع كمنظم للجهد ومضخمات الصوت ومضخمات التردد اللاسلكي.

The first semiconductor device used in power circuits was the electrolytic rectifier - an early version was described by a French experimenter, A. Nodon, in 1904. These were briefly popular with early radio experimenters as they could be improvised from aluminum sheets, and household chemicals. They had low withstand voltages and limited efficiency
كان أول جهاز أشباه الموصلات المستخدم في دوائر الطاقة هو المعدل الإلكتروليتي - تم وصف نسخة مبكرة من قبل المجرب الفرنسي ، أ. . كان لديهم جهد تحمل منخفض وكفاءة محدودة.
روبرت بيريت - ❰ له مجموعة من الإنجازات والمؤلفات أبرزها ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 2 Insulated Gate Bipolar Transistors ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 1 Power MOSFET Transistors ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 9 Towards Integrated Power Electronics ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 7 Commutation Cell ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 3 Series and Parallel Connections of MOS and IGBT ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Frontmatter ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: List of authors & Index ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 6 Modeling Connections ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 8 Power Electronics and Thermal Management ❝ الناشرين : ❞ ISTE ❝ ❱
من كتب التكنولوجيا والعلم - مكتبة كتب الهندسة والتكنولوجيا.


the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use.

نبذة عن الكتاب:
Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 3 Series and Parallel Connections of MOS and IGBT

2009م - 1445هـ

This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
يتعلق هذا الكتاب بالتطورات الأخيرة في العديد من مختبرات البحث والتطوير في مجال الهندسة الكهربائية ، مع التركيز على مفاتيح إلكترونيات الطاقة واستخدامها. تتناول الأقسام الأولى تقنيات إلكترونيات الطاقة الرئيسية ، MOSFETs و IGBT ، بما في ذلك الروابط المتسلسلة والمتوازية. يفحص القسم التالي كربيد السيليكون وإمكاناته لتطبيقات إلكترونيات الطاقة والقيود الحالية. بعد ذلك ، يعرض قسم مخصص المكثفات ، والمكونات الرئيسية السلبية في إلكترونيات الطاقة ، متبوعة بطريقة النمذجة التي تسمح بحساب المحاثات الضالة ، الضرورية للمحاكاة الدقيقة لأشكال موجة التبديل. يتبع السلوك الحراري المرتبط بمفاتيح الطاقة ، ويقترح الجزء الأخير بعض التوقعات المثيرة للاهتمام المرتبطة بتكامل Power Electronics.

A power semiconductor device is a semiconductor device used as a switch or rectifier in power electronics (for example in a switch-mode power supply). Such a device is also called a power device or, when used in an integrated circuit, a power IC.
جهاز أشباه موصلات الطاقة هو جهاز أشباه موصلات يستخدم كمفتاح أو مقوم في إلكترونيات الطاقة (على سبيل المثال في مصدر طاقة وضع التبديل). يسمى هذا الجهاز أيضًا جهاز الطاقة أو ، عند استخدامه في دائرة متكاملة ، طاقة IC.

A power semiconductor device is usually used in "commutation mode" (i.e., it is either on or off), and therefore has a design optimized for such usage; it should usually not be used in linear operation. Linear power circuits are widespread as voltage regulators, audio amplifiers, and radio frequency amplifiers.
عادةً ما يتم استخدام جهاز أشباه موصلات الطاقة في "وضع التبديل" (أي أنه إما قيد التشغيل أو متوقف عن التشغيل) ، وبالتالي يكون له تصميم مُحسَّن لهذا الاستخدام ؛ لا ينبغي استخدامه عادة في العملية الخطية. تنتشر دوائر القدرة الخطية على نطاق واسع كمنظم للجهد ومضخمات الصوت ومضخمات التردد اللاسلكي.

The first semiconductor device used in power circuits was the electrolytic rectifier - an early version was described by a French experimenter, A. Nodon, in 1904. These were briefly popular with early radio experimenters as they could be improvised from aluminum sheets, and household chemicals. They had low withstand voltages and limited efficiency
كان أول جهاز أشباه الموصلات المستخدم في دوائر الطاقة هو المعدل الإلكتروليتي - تم وصف نسخة مبكرة من قبل المجرب الفرنسي ، أ. . كان لديهم جهد تحمل منخفض وكفاءة محدودة. .
المزيد..

تعليقات القرّاء:

أجهزة أشباه موصلات الطاقة pdf

أجهزة أشباه موصلات الطاقة جزء لكل تريليون

ملاحظات محاضرة أجهزة أشباه موصلات الطاقة

أجهزة تحويل الطاقة pdf

تصنيف أجهزة أشباه موصلات الطاقة

مقارنة أجهزة أشباه موصلات الطاقة

تشغيل الأجهزة الإلكترونية والتطبيقات

قائمة الأجهزة الإلكترونية الكهربائية

power semiconductor devices lecture notes

classification of power semiconductor devices

comparison of power semiconductor devices

power electronic devices and applications

power semiconductor devices pdf

power semiconductor devices ppt

power switching devices pdf

list of power electronic devices

This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
يتعلق هذا الكتاب بالتطورات الأخيرة في العديد من مختبرات البحث والتطوير في مجال الهندسة الكهربائية ، مع التركيز على مفاتيح إلكترونيات الطاقة واستخدامها. تتناول الأقسام الأولى تقنيات إلكترونيات الطاقة الرئيسية ، MOSFETs و IGBT ، بما في ذلك الروابط المتسلسلة والمتوازية. يفحص القسم التالي كربيد السيليكون وإمكاناته لتطبيقات إلكترونيات الطاقة والقيود الحالية. بعد ذلك ، يعرض قسم مخصص المكثفات ، والمكونات الرئيسية السلبية في إلكترونيات الطاقة ، متبوعة بطريقة النمذجة التي تسمح بحساب المحاثات الضالة ، الضرورية للمحاكاة الدقيقة لأشكال موجة التبديل. يتبع السلوك الحراري المرتبط بمفاتيح الطاقة ، ويقترح الجزء الأخير بعض التوقعات المثيرة للاهتمام المرتبطة بتكامل Power Electronics.

A power semiconductor device is a semiconductor device used as a switch or rectifier in power electronics (for example in a switch-mode power supply). Such a device is also called a power device or, when used in an integrated circuit, a power IC.
جهاز أشباه موصلات الطاقة هو جهاز أشباه موصلات يستخدم كمفتاح أو مقوم في إلكترونيات الطاقة (على سبيل المثال في مصدر طاقة وضع التبديل). يسمى هذا الجهاز أيضًا جهاز الطاقة أو ، عند استخدامه في دائرة متكاملة ، طاقة IC.

A power semiconductor device is usually used in "commutation mode" (i.e., it is either on or off), and therefore has a design optimized for such usage; it should usually not be used in linear operation. Linear power circuits are widespread as voltage regulators, audio amplifiers, and radio frequency amplifiers.
عادةً ما يتم استخدام جهاز أشباه موصلات الطاقة في "وضع التبديل" (أي أنه إما قيد التشغيل أو متوقف عن التشغيل) ، وبالتالي يكون له تصميم مُحسَّن لهذا الاستخدام ؛ لا ينبغي استخدامه عادة في العملية الخطية. تنتشر دوائر القدرة الخطية على نطاق واسع كمنظم للجهد ومضخمات الصوت ومضخمات التردد اللاسلكي.

The first semiconductor device used in power circuits was the electrolytic rectifier - an early version was described by a French experimenter, A. Nodon, in 1904. These were briefly popular with early radio experimenters as they could be improvised from aluminum sheets, and household chemicals. They had low withstand voltages and limited efficiency
كان أول جهاز أشباه الموصلات المستخدم في دوائر الطاقة هو المعدل الإلكتروليتي - تم وصف نسخة مبكرة من قبل المجرب الفرنسي ، أ. . كان لديهم جهد تحمل منخفض وكفاءة محدودة.



سنة النشر : 2009م / 1430هـ .
حجم الكتاب عند التحميل : 0.9 .
نوع الكتاب : pdf.
عداد القراءة: عدد قراءة Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 3 Series and Parallel Connections of MOS and IGBT

اذا اعجبك الكتاب فضلاً اضغط على أعجبني
و يمكنك تحميله من هنا:

تحميل Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 3 Series and Parallel Connections of MOS and IGBT
شكرًا لمساهمتكم

شكراً لمساهمتكم معنا في الإرتقاء بمستوى المكتبة ، يمكنكم االتبليغ عن اخطاء او سوء اختيار للكتب وتصنيفها ومحتواها ، أو كتاب يُمنع نشره ، او محمي بحقوق طبع ونشر ، فضلاً قم بالتبليغ عن الكتاب المُخالف:

برنامج تشغيل ملفات pdfقبل تحميل الكتاب ..
يجب ان يتوفر لديكم برنامج تشغيل وقراءة ملفات pdf
يمكن تحميلة من هنا 'http://get.adobe.com/reader/'

المؤلف:
روبرت بيريت - Robert Perret

كتب روبرت بيريت ❰ له مجموعة من الإنجازات والمؤلفات أبرزها ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 2 Insulated Gate Bipolar Transistors ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 1 Power MOSFET Transistors ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 9 Towards Integrated Power Electronics ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 7 Commutation Cell ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 3 Series and Parallel Connections of MOS and IGBT ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Frontmatter ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: List of authors & Index ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 6 Modeling Connections ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 8 Power Electronics and Thermal Management ❝ الناشرين : ❞ ISTE ❝ ❱. المزيد..

كتب روبرت بيريت
الناشر:
ISTE
كتب ISTE ❰ ناشرين لمجموعة من المؤلفات أبرزها ❞ Mechanical Instability: Notions of Instability ❝ ❞ Mechanical Instability: Frontmatter ❝ ❞ Process Engineering Renewal 1, Background and Training: Frontmatter ❝ ❞ Process Engineering Renewal 1, Background and Training: CHAPTER 2 ❝ ❞ Process Engineering Renewal 1, Background and Training: index ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 2 Insulated Gate Bipolar Transistors ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 1 Power MOSFET Transistors ❝ ❞ Process Engineering Renewal 1, Background and Training: CHAPTER 1 ❝ ❞ Process Engineering Renewal 1, Background and Training: Other titles from iSTE in Chemical Engineering ❝ ❞ Power Electronics Semiconductor Devices: Chapter 9 Towards Integrated Power Electronics ❝ ومن أبرز المؤلفين : ❞ فنسنت جينوت ❝ ❞ ايفون شوفالييه ❝ ❞ Yves Mouton ❝ ❞ برنارد ديمولين ❝ ❞ روبرت بيريت ❝ ❞ حكيمة الشاوشي ❝ ❞ Bernard de Fornel ❝ ❞ توماش كريسينسكي ❝ ❞ جيه باولو دافيم ❝ ❞ Éric Schaer ❝ ❱.المزيد.. كتب ISTE